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法国创新半导体材料领先企业Soitec近日发表公告,其在法国格勒诺布尔附近的伯宁举行了新工厂落成仪式。

此前2022年3月消息,Soitec宣布在法国伯宁总部建设Bernin 4新工厂,致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圆。同年3月该工厂举行了奠基仪式。

根据法国媒体的报道,该工厂投资额为3.8亿欧元(约30亿人民币),其中30%由法国和欧洲援助承担。根据公告,该工厂占地面积2500平方米,2028年全部达成后可年产50万片,其中80%专用于SmartSiC晶圆,20%生产300mm SOI晶圆。

该公司表示,新工厂将专门生产电动汽车所需要的SmartSiC衬底,Soitec开发的SmartCut技术可使SiC器件电气性能提高了15%-20%,衬底的消耗量减少了十分之一。

具体而言,通过SmartSiC™技术的应用,每个SiC衬底可以使用10次。因此,SmartSiC™使电动汽车的续航里程超过500公里,而使用硅基IGBT的汽车平均续航里程为350公里,同时与单晶SiC衬底相比,晶圆制造过程中的二氧化碳排放量减少了70%。

Soitec 首席执行官Pierre Barnabé 表示:“我们比以往任何时候都更愿意将SmartSiC技术建立为下一代电动汽车半导体材料的新标准。该工厂将使我们能够满足对碳化硅不断增长的需求,并到2030年实现30%的市场份额,同时帮助提高电动汽车的效率和降低价格。”

现阶段,Bernin 4新工厂主要生产6英寸SiC晶圆,计划从2024年开始迁移到8英寸晶圆。新工厂的第一个测试样品和资格认证将在2个月内开始发货,计划于2024年春末开始大批量交付。

来源:全球半导体观察

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